IPD65R380E6 دیتاشیت

IPD65R380E6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD65R380E6
حجم فایل 34.792 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 17

مشاهده دیتاشیت IPD65R380E6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD65R380E6
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 83W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 39nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 710pF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 10.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@320uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 380mΩ@3.2A,10V
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه